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引言隨著新穎光伏材料（如鈣鈦礦太陽(yáng)能電池、有機(jī)光伏(OPV)）的快速崛起，如何在早期研究階段即評(píng)估材料的理論極限性能成為各研究機(jī)構(gòu)與產(chǎn)業(yè)界的重要議題。傳統(tǒng)評(píng)估太陽(yáng)能電池性能的方式是制作完整器件并測(cè)量其J-V曲線，然而，此方式往往受到器件制備...
現(xiàn)代社會(huì)面臨著氣候變化、能源安全和環(huán)境污染等諸多挑戰(zhàn)，推動(dòng)再生能源的研發(fā)與應(yīng)用已成為當(dāng)務(wù)之急。在眾多再生能源中，光能發(fā)電作為一種清潔、可再生、且無(wú)排放的能源形式，正受到越來(lái)越多的關(guān)注與青睞。近年來(lái)科學(xué)家們積極研發(fā)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，期盼以高效能、低污染、普及率高的形式為綠能市場(chǎng)創(chuàng)造新領(lǐng)航先鋒。發(fā)展太陽(yáng)能電池的研究中，F(xiàn)lickernoise（閃爍噪聲）是一個(gè)重要的參數(shù)，閃爍噪聲是指太陽(yáng)能電池輸出電流或電壓的瞬時(shí)波動(dòng)或變化，這種波動(dòng)往往是非?？焖俚?，通常在低頻范圍內(nèi)（通常在Hz以...
在電子產(chǎn)業(yè)中，CMOS影像傳感器是許多產(chǎn)品中的關(guān)鍵部件，包括數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)、監(jiān)視系統(tǒng)等。測(cè)試設(shè)備可以幫助確保CMOS影像傳感器的質(zhì)量和性能，從而提高產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力和可靠性。而在其他產(chǎn)業(yè)，像是汽車、醫(yī)療，甚至工業(yè)檢測(cè)中，皆需要CMOS影像傳感器輔助捕捉影像，檢測(cè)缺陷和異常，對(duì)于各種產(chǎn)業(yè)都能帶來(lái)重大幫助。其中重要參數(shù)之一，信噪比（Signal-to-NoiseRatio，SNR）是衡量影像質(zhì)量的重要指針之一，它反映了影像中有用信號(hào)和不需要的噪聲之間的比例。信噪比不好會(huì)對(duì)影像質(zhì)量和量...
隨著綠能技術(shù)不斷地更新突破，研究學(xué)者們對(duì)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的期許，除了大面積、長(zhǎng)壽命外，更重要的是高轉(zhuǎn)換效率。這幾年來(lái)，專注于光伏研究的科學(xué)家，積極研究太陽(yáng)能電池材料內(nèi)部電荷載流子（電子和空穴）的復(fù)雜運(yùn)動(dòng)。這種運(yùn)動(dòng)決定了太陽(yáng)能電池將陽(yáng)光轉(zhuǎn)化為電能的效率。通過(guò)精密的瞬態(tài)光電壓(TPV)與瞬態(tài)光電流(TPC)分析，了解光伏器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和載流子動(dòng)力學(xué)，將有助于促進(jìn)更好的電荷提取、降低滯后現(xiàn)象，從而導(dǎo)致更穩(wěn)定、更高效的太陽(yáng)能電池。上圖顯示一個(gè)比較不同有機(jī)太陽(yáng)能電池樣本載流子壽命的TP...
「能夠滿足當(dāng)代的需求，同時(shí)不損及后代滿足其需求之能力的發(fā)展模式?！惯@是聯(lián)合國(guó)（UnitedNations,UN）于1987年發(fā)表的《我們共同的未來(lái)》（OurCommonFuture）報(bào)告中所提到對(duì)于永續(xù)發(fā)展（sustainabledevelopment）的定義，也是至今數(shù)十年來(lái)人類社會(huì)共同追求的目標(biāo)。在追求永續(xù)能源解決方案的過(guò)程中，太陽(yáng)能電池的效率成為科學(xué)追求和創(chuàng)新的燈塔。在眾多正在探索的材料和技術(shù)中，鈣鈦礦太陽(yáng)能電池（PSC）已成為特別有前景的候選者。鈣鈦礦太陽(yáng)能電池以其優(yōu)...
前言RFWirelessWorld是一家專注無(wú)線通信領(lǐng)域的技術(shù)資訊和教育網(wǎng)站。它提供關(guān)于微波、無(wú)線通信以及相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的文章、教程、新聞和資源。根據(jù)RFWirelessWorld的分類，光電二極管大致可分為以下四種類型：PIN型、雪崩型、p-n型和肖特基二極管。PIN二極管(PINdiode)PIN二極管也稱為相移鍵控二極管，與常規(guī)的p-n結(jié)二極管不同之處在于它包含一個(gè)本征層。在常規(guī)的p-n結(jié)二極管中，一個(gè)低摻雜的本征層被插入到由P型半導(dǎo)體材料制成的P層和由N型半導(dǎo)體材料制成...
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